特許
J-GLOBAL ID:202103003752916039

空間分解プラズマ処理を用いてパターン形成されたデバイスを製造する、プラズマ発生装置および方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 中里 浩一 ,  川崎 仁 ,  三嶋 景治
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-508187
特許番号:特許第6829519号
出願日: 2016年08月30日
請求項(抜粋):
【請求項1】 パターン形成されたデバイスを製造するためのプラズマ発生装置であって、 a)プラズマ反応装置チャンバと、 b)選択された圧力(P)で前記プラズマ反応装置チャンバ内に入力ガスを導入するためのガス供給アセンブリと、 c)前記プラズマ反応装置チャンバに配置された第1の電極アセンブリ(1)および第2の電極アセンブリ(2)であって、前記第1の電極アセンブリ(1)が、前記第2の電極アセンブリ(2)から電極間容積の分だけ間隔を置いて配置されている、前記第1の電極アセンブリ(1)および第2の電極アセンブリ(2)と、 d)前記第1の電極アセンブリ(1)と前記第2の電極アセンブリ(2)との間で電圧差を発生させるための電源(6)と、 を備えるプラズマ発生装置において、 e)前記第1の電極アセンブリ(1)が、複数の突部(11)および複数の凹部(12、13、14、15、16、17、18)を備え、 f)前記第2の電極アセンブリ(2)が、前記複数の突部(11)および前記複数の凹部(12、13、14、15、16、17、18)に対向する表面(51)を有する基板(5)を収容するように構成され、 g)前記突部(11)および前記凹部(12、13、14、15、16、17、18)がそれぞれ、前記入力ガスの前記選択された圧力(P)で、前記基板(5)の前記表面と前記複数の凹部(12、13、14、15、16、17、18)との間か、または前記基板(5)の前記表面と前記複数の突部(11)との間のいずれかに選択的に位置する、空間的に隔離された複数のプラズマ区域(21、22)を生成するように、前記基板(5)の前記表面(51)から距離(D1、D2)のところにある寸法および設定になっており、そして 前記第1の電極アセンブリ(1)が、少なくとも凹部(17)の第1のサブセット、および凹部(18)の第2のサブセットを備え、前記凹部(17)の第1のサブセットが、前記凹部(18)の第2のサブセットから電気的に絶縁されており、かつ、前記第1の電極アセンブリ(1)が、第1のサブ電極(47)、および第2のサブ電極(48)を備え、前記第1のサブ電極(47)が、前記凹部(17)の第1のサブセットを、前記第2のサブ電極(48)が、前記凹部(18)の第2のサブセットをそれぞれ電気的に接続しているとともに、前記電源(6)が前記第1のサブ電極(47)と前記第2の電極アセンブリ(2)との間で第1の電圧差を、前記第2のサブ電極(48)と前記第2の電極アセンブリ(2)との間で第2の電圧差を、それぞれ発生させるように構成されている、 ことを特徴とする、プラズマ発生装置。
IPC (5件):
H05H 1/46 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C23C 16/509 ( 200 6.01) ,  C23C 16/455 ( 200 6.01)
FI (5件):
H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 101 B ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/455
引用特許:
出願人引用 (15件)
全件表示
審査官引用 (15件)
全件表示
引用文献:
前のページに戻る