特許
J-GLOBAL ID：200903003920441216

プラズマ処理方法及び装置

発明者：
齋藤 光央

齋藤 光央 について

, 
奥村 智洋

奥村 智洋 について

, 
中山 一郎

中山 一郎 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (2件)： 河宮 治 ,  和田 充夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-303353
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111948
出願日： 2003年08月27日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】 簡単なプラズマ源で所望の任意形状をプラズマ処理できるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 大気圧近傍の圧力において、被処理物の近傍に配置させたプラズマ源にガスを供給しつつ、第1の電極に電力を供給するか又は第1の電極を接地電位とするか又は第1の電極を浮遊電位とするプラズマ処理方法であって、被処理物6を介してプラズマ源900と対向となる位置に配置されかつ電位制御した第2の電極7の被処理物と重なる面の面積を、プラズマ源の被処理物と重なる面の面積よりも小さくさせた状態で、被処理物の一部をプラズマ処理する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
大気圧近傍の圧力において、被処理物の近傍に配置させたプラズマ源にガスを供給しつつ、第1の電極に電力を供給するか又は第1の電極を接地電位とするか又は第1の電極を浮遊電位とするプラズマ処理方法であって、 上記被処理物を介して上記プラズマ源と対向となる位置に配置されかつ電位制御した第2の電極の上記被処理物と重なる面の面積を、上記プラズマ源の上記被処理物と重なる面の面積よりも小さくさせた状態で、上記第1及び第2の電極の少なくともいずれか一方に電力を供給しつつ、上記被処理物の一部をプラズマ処理するプラズマ処理方法。
IPC (5件)：
H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31 ,  H05H1/24
FI (5件)：
H01L21/302 101E ,  C23F4/00 A ,  H01L21/304 645C ,  H01L21/31 C ,  H05H1/24
Fターム (38件)：
4K057DA11 ,  4K057DA16 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DE09 ,  4K057DM06 ,  4K057DN01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB24 ,  5F004BB28 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F004DB26 ,  5F045AA08 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045EH05 ,  5F045EH12 ,  5F045EH19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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