特許
J-GLOBAL ID：201303003874321467
表面処理装置および表面処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
曾我 道治
, 鈴木 憲七
, 梶並 順
, 大宅 一宏
, 上田 俊一
, 吉田 潤一郎
, 飯野 智史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-136348
公開番号（公開出願番号）：特開2013-004405
出願日： 2011年06月20日
公開日（公表日）： 2013年01月07日
要約：
【課題】放電により生じた寿命の短いラジカルを減衰を受ける前に被処理体に向けて噴出できるようにし、エネルギ効率の高い表面処理を実現する。【解決手段】貫通微細孔15を有する導電性電極6と誘電体被覆12で被覆された高圧導電体11との間で放電を生じ、その高圧導電体11を貫通微細孔15近傍のガス流速方向上流側に偏って配置することで、放電領域40を高圧導電体11の位置に対応して貫通微細孔15近傍のガス流速方向上流側に限定し、放電により生じた活性粒子を減衰を受ける前にガス流に乗せて効率よく抽出し、貫通微細孔15の出口から、当該出口に対向して置かれた被処理体(図示せず)に向けて噴射して、被処理体の表面処理を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
誘電体で被覆された高圧導電体を有する平板状の高圧電極と、
前記高圧電極に対向して配置され、貫通微細孔が形成された導電体表面を有する接地電極と、
前記高圧電極と前記接地電極との間に形成された放電空間と、
前記放電空間にガスを導入するガス供給手段と、
前記高圧電極に交番電圧を印加する高周波高圧電源と
を備え、
所定の速度で前記放電空間にガスを導入し、前記放電空間の圧力を前記貫通微細孔の出口圧力よりも高く保った状態で、前記高圧電極に前記交番電圧を印加することで、放電を生じさせ、当該放電により生じた活性粒子を含むガスを、前記貫通微細孔から、前記貫通微細孔に対向して置かれた被処理体に吹き付けて、前記被処理体の表面処理を行う表面処理装置であって、
前記高圧導電体が、それに対向する前記接地電極に設けられた前記貫通微細孔に対して、前記放電空間におけるガス流方向上流側にシフトした位置に設けられている
ことを特徴とする表面処理装置。
IPC (3件)：
H05H 1/24
, C23C 16/505
, B08B 7/00
H05H1/24
, C23C16/505
, B08B7/00
3B116AA01
, 3B116AB01
, 3B116BB89
, 3B116BC01
, 4K030AA18
, 4K030CA07
, 4K030CA12
, 4K030DA02
, 4K030FA03
, 4K030JA12
, 4K030KA17
