特許

J-GLOBAL ID：202103005980817027

ALD膜特性の補正および可調節性のためのマルチゾーン台座

発明者： ロバーツ・マイケル・フィリップ ,  チャンドラセカーラン・ラメシュ ,  アガワル・プルキット ,  ビンガム・アーロン ,  サウラブ・アシシュ ,  クマール・ラヴィ ,  ペトラグリア・ジェニファー・レイ
出願人/特許権者： ラム リサーチ コーポレーション
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-527046
公開番号（公開出願番号）：特表2021-503721
出願日： 2018年11月16日
公開日（公表日）： 2021年02月12日
要約：

【解決手段】基板上で堆積プロセスを実施するように構成された基板処理システムは、複数の区域と、複数の区域全体に配置された複数の抵抗発熱体とを含む基板支持体を備える。複数の抵抗発熱体は、複数の区域のそれぞれの区域に配置された、別々に制御可能な抵抗発熱体を含む。制御装置は、堆積プロセスの間、複数の区域内の温度を選択的に調節するよう複数の抵抗発熱体を制御するように構成されている。【選択図】図1Aおよび図1B

請求項（抜粋）：

基板上で堆積プロセスを実施するように構成された基板処理システムであって、 基板支持体であって、 複数の区域と、 前記複数の区域全体に配置された複数の抵抗発熱体であって、前記複数の区域のそれぞれの区域に配置された別々に制御可能な抵抗発熱体を含む複数の抵抗発熱体と、 を含む基板支持体と、 前記堆積プロセスの間、前記複数の区域内の温度を選択的に調節するよう前記複数の抵抗発熱体を制御するように構成された制御装置と、 を備える、基板処理システム。

IPC (6件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/683 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/52 ,  C23C 14/50 ,  C23C 14/54

FI (6件)：

H01L21/31 B ,  H01L21/68 R ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C14/50 E ,  C23C14/54 D

Fターム (41件)：

4K029AA24 ,  4K029BD01 ,  4K029DA03 ,  4K029DA04 ,  4K029DA08 ,  4K029EA08 ,  4K029JA01 ,  4K029JA05 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030KA23 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA15 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EE19 ,  5F045EF05 ,  5F045EH14 ,  5F045EJ03 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK07 ,  5F045EK22 ,  5F045EK27 ,  5F045EM05 ,  5F045GB05 ,  5F045GB15 ,  5F131AA02 ,  5F131BA03 ,  5F131CA02 ,  5F131EA04 ,  5F131EB11 ,  5F131EB78 ,  5F131EB81 ,  5F131EB82

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 載置台及びプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-121454   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 静電チャック
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-124456   出願人：TOTO株式会社
• セラミックヒータ及び静電チャック
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-202989   出願人：日本特殊陶業株式会社