特許
J-GLOBAL ID：202103006351420943
炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-256889
公開番号（公開出願番号）：特開2018-110163
特許番号：特許第6928336号
出願日： 2016年12月28日
公開日（公表日）： 2018年07月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 オフ角を有する第1導電型の炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板のおもて面に設けられた、前記炭化珪素基板より低不純物濃度の第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の前記炭化珪素基板側に対して反対側の表面層に選択的に設けられた第2導電型の埋め込み層と、
前記ドリフト層の前記炭化珪素基板側に対して反対側の表面に設けられた、前記ドリフト層より高不純物濃度の第1導電型のエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層の前記炭化珪素基板側に対して反対側の表面に設けられた、第2導電型のチャネル層と、
前記チャネル層の前記炭化珪素基板側に対して反対側の表面層に選択的に設けられた第1導電型のソース領域と、
前記ソース領域および前記チャネル層を貫通して前記エピタキシャル層に達するトレンチと、
前記トレンチ内部にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記チャネル層および前記ソース領域に接触するソース電極と、
前記炭化珪素基板の裏面に設けられたドレイン電極と、
を備え、
前記埋め込み層は、前記トレンチと深さ方向に対向する位置に配置され、
前記トレンチは、ストライプ状の平面パターンを有し、前記炭化珪素基板のオフ方向が<11-20>方向であり、前記トレンチの長手方向が<11-20>方向であり、
前記チャネル層を部分的に除去したメサ構造を備え、
前記埋め込み層は、前記炭化珪素基板の外周部に設けられた耐圧構造部方向に、前記チャネル層より、1μm以上、100μm以下である距離長く、前記耐圧構造部と、前記埋め込み層の端部は、前記距離より離れていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 S
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 J
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 P
, H01L 29/06 301 G
, H01L 29/06 301 V
, H01L 29/06 301 M
, H01L 29/78 652 N
, H01L 29/78 652 F
, H01L 21/20
