三次元デバイス及びFinFETデバイスを処理する方法及び形成する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：杉村憲司 , 杉村光嗣 , 吉澤雄郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-565973
特許番号：特許第6813511号
出願日： 2016年06月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】三次元デバイスを処理する方法であって、基板の基板面から延びるパターン化された特徴部分を用意するステップであって、該特徴部分は、半導体部分、及び未硬化状態のコーティングを含み、該コーティングは、前記半導体部分の最上部領域に沿って広がり、かつ前記半導体部分の側壁に沿った側壁部分を含むステップと、前記コーティング内に第1イオンを注入するステップであって、該第1イオンは前記基板面に直交する方向に沿った第1軌跡を有し、前記第1イオンは、前記最上部領域に沿って配置された前記コーティングの硬化状態部分から成るエッチング硬化部分を形成するステップと、第2イオンを用いた反応性エッチングを前記コーティングに施すステップであって、前記第2イオンは前記直交する方向に対して0でない角度をなす第2軌跡を有し、前記反応性エッチングは前記エッチング硬化部分を第1エッチング速度で除去し、該第1エッチング速度は、前記反応性エッチングにおいて前記第2イオンを前記最上部領域にある未硬化状態の前記コーティングへ指向させる際の第2エッチング速度よりも低く、前記反応性エッチングを施すステップが、前記エッチング硬化部分を除去しつつ前記半導体部分をエッチングしないことを含む、三次元デバイスの処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 29/78 301 Y , H01L 29/78 301 X

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-163159 出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
MOS型半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-028963 出願人：株式会社東芝
特開平4-133325

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審査官引用 (4件)

半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-163159 出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
MOS型半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-028963 出願人：株式会社東芝
特開平4-133325

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