特許

J-GLOBAL ID：200903019111647362

MOS型半導体装置及びその製造方法

発明者： 土明 正勝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-028963
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216833
出願日： 2005年02月04日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：

【課題】 CMOS構造の両方の極性の素子に対してコンタクト抵抗の低減を図り、Fin-MOSFET構造による移動度の増大を享受しつつ、製造コストの増大を回避する。【解決手段】 MOS型半導体装置において、絶縁膜101上に薄壁状に形成された単結晶半導体層102と、半導体層102の両側壁面上にそれぞれゲート絶縁膜104を介して形成されたゲート電極105と、ゲート電極105に対応して半導体層102に形成されたソース・ドレイン領域と、半導体層102の一方の側壁面に形成され、ソース・ドレイン領域とショットキー接合を成す第1の金属-半導体化合物層112と、第1の金属-半導体化合物層112とは組成が異なり、半導体層102の他方の側壁面に形成され、ソース・ドレイン領域とショットキー接合を成す第2の金属-半導体化合物層122とを備えた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に薄壁状に形成された単結晶半導体層と、 前記半導体層の両側壁面上にそれぞれゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極に対応して前記半導体層に形成されたソース・ドレイン領域と、 前記半導体層の一方の側壁面に形成され、前記ソース・ドレイン領域とショットキー接合を成す第1の金属-半導体化合物層と、 第1の金属-半導体化合物層とは組成が異なり、前記半導体層の他方の側壁面に形成され、前記ソース・ドレイン領域とショットキー接合を成す第2の金属-半導体化合物層と、 を具備してなることを特徴とするMOS型半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/08 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/417

FI (8件)：

H01L29/78 618C ,  H01L21/28 301S ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/08 321A ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/50 M

Fターム (65件)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB22 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD84 ,  4M104EE01 ,  4M104EE14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH17 ,  5F048AA09 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BD01 ,  5F048BD06 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE31 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG30 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ14 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HK41 ,  5F110HL02 ,  5F110HM02 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-314709   出願人：株式会社日立製作所
• 相補型絶縁ゲート型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-091168   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-093663   出願人：株式会社東芝