レジストパターン形成方法、及びパターン厚肉化用ポリマー組成物

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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 松本将尚 , 宮本龍 , 飯田雅人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-201193
公開番号（公開出願番号）：特開2018-063337
特許番号：特許第6823992号
出願日： 2016年10月12日
公開日（公表日）： 2018年04月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】レジストプレパターンを厚肉化したレジストパターンを形成する方法であって、支持体上に、表面に極性基が露出したレジストプレパターンを形成する工程Aと、前記レジストプレパターンを被覆するように、前記レジストプレパターンが形成された支持体上に、パターン厚肉化用ポリマー組成物を塗布してポリマー膜を形成する工程Bと、前記レジストプレパターンの表面に現像液不溶性層を形成する工程Cと、前記現像液不溶性層が表面に形成されたレジストプレパターン及びこれを被覆する前記ポリマー膜を現像して、前記レジストプレパターンを厚肉化したレジストパターンを形成する工程Dと、を有し、前記パターン厚肉化用ポリマー組成物は、第1の構成単位と第2の構成単位と第3の構成単位とを有する共重合体を含有し、前記第1の構成単位は、前記レジストプレパターンの厚肉化機能を有する構成単位であり、前記第1の構成単位は、下記一般式(u1-1-1)で表される構成単位を含み、前記第2の構成単位は、下記一般式(u2-1)で表される構成単位を含み、前記第3の構成単位は、スチレン骨格を有する構成単位を含み、前記第2の構成単位及び前記第3の構成単位は、下式(α)を満たすことを特徴とする、レジストパターン形成方法。ガラス転移温度(Tg2)<ガラス転移温度(Tg3)・・・(α) Tg2:前記第2の構成単位の繰り返し構造からなるホモポリマーのガラス転移温度 Tg3:前記第3の構成単位の繰り返し構造からなるホモポリマーのガラス転移温度 [式中、Rは、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。Vx01は、エーテル結合若しくはアミド結合を有する2価の炭化水素基、2価の芳香族炭化水素基又は単結合である。Yx01は、単結合又は2価の連結基である。Rx1は、下記式(Rx-1)で表される基である。] [式中、Rx01及びRx02は、それぞれ独立に、水素原子、又は、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基であり、*はYx01との結合手を示す。] [式中、Rは、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。Vx02は、2価の連結基又は単結合である。Rx2は、直鎖状の炭化水素基、下記式(r-pr-c1)、(r-pr-c2)又は(r-pr-c3)で表される基である。*はVx02との結合手を示す。]

IPC (5件)：

G03F 7/40 ( 200 6.01) , G03F 7/038 ( 200 6.01) , G03F 7/039 ( 200 6.01) , G03F 7/20 ( 200 6.01) , C08F 212/08 ( 200 6.01)

FI (5件)：

G03F 7/40 511 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , G03F 7/20 521 , C08F 212/08

引用特許：

審査官引用 (3件)

レジストパターン修復方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-056437 出願人：東京応化工業株式会社
レジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-212936 出願人：東京応化工業株式会社
パターン処理法
公報種別：公開公報出願番号：特願2016-111083 出願人：ダウグローバルテクノロジーズエルエルシー, ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズエルエルシー

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