特許

J-GLOBAL ID：201703005905888803

レジストパターン修復方法

発明者： 土屋 純一 ,  角田 力太 ,  高木 大地 ,  四宮 未来 ,  藤崎 真史
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  松本 将尚 ,  宮本 龍 ,  飯田 雅人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-056437
公開番号（公開出願番号）：特開2016-177071
出願日： 2015年03月19日
公開日（公表日）： 2016年10月06日
要約：

【課題】レジストパターン修復方法の提供。【解決手段】支持体上に形成されたレジストパターンの欠陥部を修復する、レジストパターン修復方法であって、前記欠陥部を有するレジストパターンを被覆するように、シュリンク剤組成物を塗布する工程Aと、前記レジストパターン表面に、現像液不溶性領域を形成する工程Bと、前記被覆されたレジストパターンを現像する工程Cと、を有し、前記シュリンク剤組成物が、高分子化合物(X)を含有し、前記高分子化合物(X)が、ホモポリマー又はランダムコポリマーであることを特徴とする、レジストパターン修復方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

支持体上に形成されたレジストパターンの欠陥部を修復する、レジストパターン修復方法であって、 前記欠陥部を有するレジストパターンを被覆するように、シュリンク剤組成物を塗布する工程Aと、 前記レジストパターン表面に、現像液不溶性領域を形成する工程Bと、 前記被覆されたレジストパターンを現像する工程Cと、 を有し、 前記シュリンク剤組成物が、高分子化合物(X)を含有し、前記高分子化合物(X)が、ホモポリマー又はランダムコポリマーであることを特徴とする、 レジストパターン修復方法。

IPC (5件)：

G03F 7/40 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  C08F 20/38 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/40 511 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  C08F20/38 ,  H01L21/30 570

Fターム (78件)：

2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF38P ,  2H125AF41P ,  2H125AF70P ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125FA05 ,  2H196AA25 ,  2H196BA11 ,  2H196CA06 ,  2H196DA01 ,  2H196EA05 ,  2H196FA01 ,  2H196GA03 ,  2H196HA35 ,  2H225AF24P ,  2H225AF53P ,  2H225AF68P ,  2H225AF71P ,  2H225AF99P ,  2H225AH15 ,  2H225AH16 ,  2H225AH19 ,  2H225AH38 ,  2H225AH49 ,  2H225AJ13 ,  2H225AJ53 ,  2H225AJ54 ,  2H225AJ59 ,  2H225AN38P ,  2H225AN39P ,  2H225AN42P ,  2H225BA02P ,  2H225BA26P ,  2H225CA12 ,  2H225CB09 ,  2H225CC01 ,  2H225CC15 ,  2H225CD05 ,  4J100AB02P ,  4J100AB07P ,  4J100AL03R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03P ,  4J100BA11P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA34P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC65Q ,  4J100BC65R ,  4J100BC73P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38 ,  5F146MA18

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 微細パターン形成用樹脂組成物および微細パターン形成方法、ならびに重合体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-211916   出願人：JSR株式会社
• 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-219657   出願人：AZエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社
• パターン形成方法及びその方法に用いる架橋層形成用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-242121   出願人：富士フイルム株式会社
• 水溶性樹脂組成物およびこれを用いて微細パターンを形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-073283   出願人：コリアクンホペトロケミカルカンパニーリミテッド
• パターン形成方法及びこれに用いられる組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-007296   出願人：JSR株式会社
• パターン形成方法及びシュリンク剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-092599   出願人：信越化学工業株式会社