特許
J-GLOBAL ID：201703016688702560
パターン処理法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人センダ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-111083
公開番号（公開出願番号）：特開2016-224448
出願日： 2016年06月02日
公開日（公表日）： 2016年12月28日
要約：
【課題】レジストパターンの高解像度化のためのパターン処理組成物及び処理方法を提供する。【解決手段】(a)表面上のパターン形成特徴部を備える半導体基板を提供すること、(b)パターン処理組成物がブロックコポリマー及び溶媒を含み、ブロックコポリマーが第1のブロック及び第2のブロックを含み、第1のブロックがエチレン性不飽和重合性基及び水素受容体基を含む第1のモノマーから形成された単位を含み、水素受容体基が窒素含有基であり、第2のブロックがエチレン性不飽和重合性基及び芳香族基を含む第2のモノマーから形成された単位を含む処理組成物を塗布すること、(c)残留パターン処理組成物を基板からすすいで、パターン形成特徴部に結合したブロックコポリマーの一部を残すこととを含むレジストパターン処理方法。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
パターン処理法であって、
(a)表面にパターン形成特徴部を備える半導体基板を提供することと、
(b)パターン処理組成物を前記パターン形成特徴部に塗布することであって、前記パターン処理組成物がブロックコポリマー及び溶媒を含み、前記ブロックコポリマーが第1のブロック及び第2のブロックを含み、前記第1のブロックがエチレン性不飽和重合性基及び水素受容体基を含む第1のモノマーから形成された単位を含み、前記水素受容体基が窒素含有基であり、前記第2のブロックがエチレン性不飽和重合性基及び芳香族基を含む第2のモノマーから形成された単位を含むが、但し、前記第2のモノマーがスチレンではないことを条件とする、塗布することと、
(c)残留パターン処理組成物を前記基板からすすいで、前記パターン形成特徴部に結合した前記ブロックコポリマーの一部を残すことと、を含む、前記パターン処理法。
IPC (5件)：
G03F 7/40
, G03F 7/039
, G03F 7/038
, H01L 21/027
, G03F 7/20
G03F7/40 511
, G03F7/039 601
, G03F7/038 601
, H01L21/30 502D
, G03F7/20 521
2H196AA25
, 2H196BA06
, 2H196EA05
, 2H196GA03
, 2H196HA35
, 2H197AA12
, 2H197CA03
, 2H197CA06
, 2H197CA08
, 2H197CA10
, 2H197CE01
, 2H197GA01
, 2H197JA15
, 2H225AF24P
, 2H225AF25P
, 2H225AF44P
, 2H225AF53P
, 2H225AF62P
, 2H225AF67P
, 2H225AF99P
, 2H225AH17
, 2H225AH19
, 2H225AJ13
, 2H225AJ54
, 2H225AJ55
, 2H225AJ59
, 2H225AM23P
, 2H225AN11P
, 2H225AN39P
, 2H225AN54P
, 2H225AN56P
, 2H225AN63P
, 2H225BA02P
, 2H225BA26P
, 2H225BA29P
, 2H225CA12
, 2H225CB09
, 2H225CC01
, 2H225CC15
, 2H225CD05
, 5F146AA28
