特許
J-GLOBAL ID：202103008711553381
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-051671
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168595
特許番号：特許第6808336号
出願日： 2016年03月15日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の量子井戸層が積層され、サブバンド間遷移によりテラヘルツ波のレーザ光を放出可能な活性層と、
前記活性層の上に設けられ、第1の面を有し、前記第1の面に開口端を有する複数のピットが、二次元の格子を構成するように設けられてフォトニック結晶として作用する第1の層と、
前記活性層の下に設けられた第2の層と、
前記第1の層の上に設けられ、複数の開口部が設けられ、メタマテリアルが用いられて前記テラヘルツ波に対して外部共振器として作用する表面金属膜と、
を備え、
それぞれの前記ピットは、前記格子の辺に平行な線に関して非対称であり、
前記レーザ光は、前記活性層内で共振方向に沿って光共振されるとともに、回折効果により、前記第1の面に概ね垂直な光軸に沿って前記第1の面から放出され、前記複数の開口部を通過し前記活性層に対して概ね垂直方向に放出される、半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S 5/18 ( 202 1.01)
, H01S 5/12 ( 202 1.01)
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (2件)
引用文献：
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