積層構造体、半導体装置及び積層構造体の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：好宮幹夫 , 小林俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-156145
公開番号（公開出願番号）：特開2021-031358
出願日： 2019年08月28日
公開日（公表日）： 2021年03月01日
要約：

【課題】表面が平滑なコランダム構造を有する結晶性酸化物膜を含み、半導体装置に適用した場合に半導体特性の優れた積層構造体を提供することを目的とする。【解決手段】下地基板と、コランダム構造を有する結晶性酸化物膜とを有する積層構造体であって、前記結晶性酸化物膜が、不純物として少なくとも炭素(C)を含み、前記結晶性酸化物膜の二乗平均平方根粗さ(RMS)が0.1μm以下である積層構造体。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下地基板と、コランダム構造を有する結晶性酸化物膜とを有する積層構造体であって、前記結晶性酸化物膜が、不純物として少なくとも炭素(C)を含み、前記結晶性酸化物膜の二乗平均平方根粗さ(RMS)が0.1μm以下であるであることを特徴とする積層構造体。

IPC (6件)：

C30B 29/16 , C30B 25/18 , C23C 16/40 , H01L 21/365 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (8件)：

C30B29/16 , C30B25/18 , C23C16/40 , H01L21/365 , H01L29/78 626C , H01L29/78 618F , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A

Fターム (48件)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BB10 , 4G077DB01 , 4G077ED06 , 4G077EF01 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TK01 , 4K030AA03 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030BA08 , 4K030BA42 , 4K030CA01 , 4K030CA12 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030LA12 , 5F045AA06 , 5F045AB40 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD24 , 5F110GG01 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110GG51 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HL02

引用特許：

審査官引用 (2件)

結晶性酸化物薄膜、半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2018-126538 出願人：株式会社FLOSFIA
結晶性積層構造体、半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-070469 出願人：株式会社FLOSFIA

引用文献：

審査官引用 (1件)

Japanese Journal of applied Physics

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