特許
J-GLOBAL ID：202103009735923640

シリコン単結晶の製造方法

発明者：
玉置 晋

玉置 晋 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について


代理人 (1件)： 特許業務法人樹之下知的財産事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-110106
公開番号（公開出願番号）：特開2019-210199
特許番号：特許第6981371号
出願日： 2018年06月08日
公開日（公表日）： 2019年12月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 単結晶引き上げ装置を用いたチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、 石英坩堝の設計値を基準とした重量と、当該重量の前記石英坩堝を用いて基準の引き上げ条件でシリコン単結晶を製造するときに、当該シリコン単結晶の酸素濃度を基準酸素濃度にするために必要な酸素濃度の調整量との関係を予め求め、 石英坩堝の重量を測定する工程と、 前記石英坩堝の重量と前記酸素濃度の調整量との関係と、前記重量の測定結果とに基づいて、当該重量が測定された石英坩堝を用いて製造されるシリコン単結晶の酸素濃度を推定し、当該推定値と狙い値とに基づいて引き上げ条件を設定する工程と、 前記重量が測定された石英坩堝を用いて、前記設定された引き上げ条件でシリコン単結晶を製造する工程とを備えていることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 ( 200 6.01) ,  C30B 15/20 ( 200 6.01)
FI (4件)：
C30B 29/06 502 H ,  C30B 29/06 502 K ,  C30B 29/06 502 Z ,  C30B 15/20
引用特許：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM