特許
J-GLOBAL ID：201803001900247372

シリコン単結晶の製造方法

発明者：
齋藤 康裕

齋藤 康裕 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について


代理人 (1件)： とこしえ特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-179275
公開番号（公開出願番号）：特開2018-043904
出願日： 2016年09月14日
公開日（公表日）： 2018年03月22日
要約：
【課題】石英製の坩堝の製造上の個体差又は使用時間に拘わらずシリコン単結晶インゴットの酸素濃度を許容範囲に維持し得るシリコン単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】チャンバ11内に回転及び昇降可能に設けられた石英製の坩堝21にシリコン原材料を投入し、前記坩堝21の周囲に設置されたヒータ25により前記シリコン原材料を融解し、垂下した種結晶Sをシリコン融液Mに浸漬し、前記種結晶Sを引上げてシリコン単結晶Cを製造するシリコン単結晶の製造方法において、前記坩堝21の底部のコーナー部の厚さt1又は中心軸上の厚さt2と、製造されたシリコン単結晶Cの酸素濃度Oiとの相関関係を取得し、目標酸素濃度と前記相関関係とにより選定された坩堝を用いてシリコン単結晶Cを製造する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
チャンバ内に回転及び昇降可能に設けられた石英製の坩堝にシリコン原材料を投入し、 前記坩堝の周囲に設置されたヒータにより前記シリコン原材料を融解し、 垂下した種結晶をシリコン融液に浸漬し、 前記種結晶を引上げてシリコン単結晶を製造するシリコン単結晶の製造方法において、 前記坩堝の底部のコーナー部又は中心軸上の厚さと、製造されたシリコン単結晶の酸素濃度との相関関係を取得し、 目標酸素濃度と前記相関関係とにより選定された坩堝を用いるシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 ,  C30B 15/20
FI (2件)：
C30B29/06 502H ,  C30B15/20
Fターム (12件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EA06 ,  4G077EB06 ,  4G077EG01 ,  4G077EH08 ,  4G077HA12 ,  4G077PA04 ,  4G077PA06 ,  4G077PD02 ,  4G077PF51
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開平3-232790
  • 単結晶引上装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-054373   出願人：三菱マテリアル株式会社
  • 単結晶引上げ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-013203   出願人：住友金属工業株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
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