特許

J-GLOBAL ID：202103010409027020

半導体基板

発明者： 山本 大貴 ,  長田 剛規
出願人/特許権者： 住友化学株式会社
代理人 (2件)： 龍華国際特許業務法人 ,  林 茂則
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-231902
公開番号（公開出願番号）：特開2018-088502
特許番号：特許第6796467号
出願日： 2016年11月30日
公開日（公表日）： 2018年06月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 シリコン基板、反応抑制層、応力発生層および活性層を有し、前記シリコン基板、前記反応抑制層、前記応力発生層および前記活性層が、前記シリコン基板、前記反応抑制層、前記応力発生層、前記活性層の順に位置する半導体基板であって、 前記反応抑制層が、シリコン原子とIII族原子との反応を抑制する窒化物結晶層であり、 前記応力発生層が、圧縮応力を発生する窒化物結晶層であり、 前記活性層が、電子素子が形成される窒化物結晶層であり、 前記シリコン基板と前記反応抑制層との間に、シリコン原子、アルミニウム原子および窒素原子を主構成原子とするSiAlN層をさらに有し、 前記SiAlN層が、周期構造を有する 半導体基板。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C23C 16/34 ( 200 6.01) ,  C23C 16/42 ( 200 6.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/42 ,  H01L 29/80 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ヘテロ接合型電界効果トランジスタ用のエピタキシャルウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-005945   出願人：シャープ株式会社
• 半導体構造体、半導体素子、窒化物半導体結晶の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-134065   出願人：日亜化学工業株式会社