特許
J-GLOBAL ID：201303053616393175

ヘテロ接合型電界効果トランジスタ用のエピタキシャルウエハ

発明者：
布袋田 暢行

布袋田 暢行 について

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寺口 信明

寺口 信明 について

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本田 大輔

本田 大輔 について

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伊藤 伸之

伊藤 伸之 について

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松林 雅和

松林 雅和 について

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松笠 治彦

松笠 治彦 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-005945
公開番号（公開出願番号）：特開2013-145821
出願日： 2012年01月16日
公開日（公表日）： 2013年07月25日
要約：
【課題】ヘテロ接合型FET用のエピタキシャルウエハにおける反りと刃状転位密度を低減させる。【解決手段】ヘテロ接合型FET用エピタキシャルウエハは、Si基板1上に順次積層されたAlN下地層2、段階的組成傾斜バッファ層構造6、超格子バッファ層構造7、GaNチャネル層8、および窒化物半導体の電子供給層9を含み、段階的組成傾斜バッファ層構造6はAl組成比が順次低減されるように積層された複数のAlGaNバッファ層を含み、その最上層はAlxGa1-xN(0<x)の組成を有し、超格子バッファ層構造7内ではAlyGa1-yN(y≦1)超格子構成層とAlzGa1-zN(0<z<y)超格子構成層のいずれかから開始してそれらが交互に複数回積層されており、AlxGa1-xNバッファ層とAlzGa1-zN超格子構成層とがx-0.05≦z≦x+0.05の条件を満たす。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ヘテロ接合型電界効果トランジスタ用のエピタキシャルウエハであって、 Si基板上に順次積層されたAlN下地層、段階的組成傾斜バッファ層構造、超格子バッファ層構造、GaNチャネル層、および窒化物系半導体の電子供給層を含み、 前記段階的組成傾斜バッファ層構造は、Al組成比が段階的に順次低減されるように積層された複数のAlGaNバッファ層を含み、最上のAlGaNバッファ層はAlxGa1-xN(0<x)の組成を有し、 前記超格子バッファ層構造内ではAlyGa1-yN(y≦1)超格子構成層とAlzGa1-zN(0<z<y)超格子構成層のいずれかから開始してそれらの超格子構成層が交互に複数回積層されており、 前記AlxGa1-xNバッファ層とAlzGa1-zN超格子構成層とがほぼ同じAl組成比を有していてx-0.05≦z≦x+0.05の条件を満たすことを特徴とするエピタキシャルウエハ。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205
Fターム (30件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045BB11 ,  5F045BB12 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA58 ,  5F045EB15 ,  5F045EE12 ,  5F045GB11 ,  5F045HA06 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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