炭化ケイ素コーティング体を製造するためのプロセス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：園田・小林特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-535618
公開番号（公開出願番号）：特表2021-508660
出願日： 2018年12月22日
公開日（公表日）： 2021年03月11日
要約：

本発明は、シラン源としてジメチルジクロロシラン(DMS)を用いる化学気相堆積法でグラファイト基板上に炭化ケイ素(SiC)を堆積させることによりSiCコーティング体を製造するための新規のプロセスに関する。本発明のさらなる態様は、本発明の新規のプロセスによって得ることができる新規の炭化ケイ素コーティング体、ならびに高温用途のための物品、サセプタおよびリアクタ、半導体材料、ならびにウエハを製造するためのその使用に関する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

改変された表面多孔性を有する精製グラファイト部材を製造するためのプロセスであって、 a)開放気孔率を有し、0.4-5.0μmの範囲の平均ポアサイズ(ポア直径)を有するポアを含み、かつ<10μmの表面ポア直径を有するポアを含み、かつ<0.05mmの平均粒径を有するグラファイト部材を提供する工程; b)炉内の酸素含有量が約5.0%になるまで、炉内でグラファイト部材を窒素でパージする工程; c)炉内の多孔性グラファイト部材を少なくとも約1000°Cの温度に加熱する工程; d)酸素含有量が≦0.5%になるまで、窒素によるパージおよび多孔性グラファイト部材の加熱を継続する工程; e)多孔性グラファイト部材に塩素化処理を直接施す工程、そのために f)>1500°Cに温度を上昇させて塩素ガスのパージを開始する工程; g)多孔性グラファイト部材を塩素雰囲気中で≧1700°Cの温度に加熱する工程を含むプロセス。

IPC (3件)：

C01B 32/21 , C01B 32/963 , C23C 16/42

FI (3件)：

C01B32/21 , C01B32/963 , C23C16/42

Fターム (26件)：

4G146AA02 , 4G146AA17 , 4G146AB01 , 4G146AC02A , 4G146AC04A , 4G146AC17B , 4G146AD11 , 4G146AD15 , 4G146AD30 , 4G146AD40 , 4G146BA02 , 4G146BB06 , 4G146BC01 , 4G146BC09 , 4G146BC22 , 4G146BC23 , 4G146BC25 , 4G146BC34A , 4G146CA10 , 4G146CB17 , 4G146DA16 , 4K030AA03 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA37 , 4K030CA01

引用特許：

審査官引用 (5件)

炭化珪素被覆黒鉛部材
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-114412 出願人：東海カーボン株式会社
SiC被覆黒鉛部材およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-184264 出願人：東海カーボン株式会社
特開昭49-083706

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