特許
J-GLOBAL ID：201003022662581364

低窒素濃度黒鉛材料、及び、その保管方法

発明者：
藤田 一郎

藤田 一郎 について


出願人/特許権者：
東洋炭素株式会社

東洋炭素株式会社 について


代理人 (2件)： 梶 良之 ,  須原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-179281
公開番号（公開出願番号）：特開2010-248072
出願日： 2010年08月10日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：
【課題】SiCエピタキシャル成長膜製造用治具又はSiC単結晶製造用治具に用いる場合に、SiCへの窒素の侵入を抑制する。【解決手段】低窒素濃度黒鉛材料は、グロー放電質量分析法による窒素濃度が98ppm以下(ただし、1.0〜1.2ppmを除く)であり、大気と遮断した状態で保管されたものである。当該黒鉛材料は、SiCエピタキシャル成長膜製造用治具又はSiC単結晶製造用治具に用いられる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
グロー放電質量分析法による窒素濃度が98ppm以下(ただし、1.0〜1.2ppmを除く)であり、大気と遮断した状態で保管された、SiCエピタキシャル成長膜製造用治具又はSiC単結晶製造用治具に用いられる、低窒素濃度黒鉛材料。
IPC (2件)：
C01B 31/04 ,  C30B 29/36
FI (2件)：
C01B31/04 101Z ,  C30B29/36 A
Fターム (24件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077DB01 ,  4G077EB06 ,  4G077EG04 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G146AA02 ,  4G146AC27A ,  4G146AC27B ,  4G146AD36 ,  4G146BA01 ,  4G146BC04 ,  4G146BC07 ,  4G146BC23 ,  4G146BC27 ,  4G146BC35B ,  4G146CA04 ,  4G146CA09 ,  4G146CA17
引用特許：
審査官引用 (27件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM