特許
J-GLOBAL ID：202103012020090404

半導体装置

発明者：
仲俣 祐子

仲俣 祐子 について

, 
市村 裕司

市村 裕司 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (8件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文 ,  中村 綾子 ,  森本 聡二 ,  田中 祐 ,  徳本 浩一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-244336
公開番号（公開出願番号）：特開2018-098442
特許番号：特許第6829809号
出願日： 2016年12月16日
公開日（公表日）： 2018年06月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁基板の第1の主面に第1回路電極板を、第2の主面に第2回路電極板を備えた積層基板と、前記第1回路電極板上に実装された半導体素子と出力端子とを導電性接続部材にて接続し、封止材にて封止してなる半導体装置であって、 前記絶縁基板の第1の主面と前記第1回路電極板の側面との交差部に高誘電性封止材からなる封止層が配置され、 前記高誘電性封止材が、熱硬化性樹脂主剤と、硬化剤と、高誘電性樹脂粒子とを含み、 前記高誘電性樹脂粒子が、前記熱硬化性樹脂よりも比誘電率が高く、引っ張り弾性率が低い樹脂粒子であり、 前記高誘電性樹脂粒子が、前記熱硬化性樹脂主剤100質量部に対し、50〜200質量部含まれる、半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 23/29 ( 200 6.01) ,  H01L 23/31 ( 200 6.01) ,  H01L 23/28 ( 200 6.01) ,  H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 23/30 B ,  H01L 23/28 K ,  H01L 25/04 C
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-324067   出願人：株式会社東芝
  • パワー半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-145973   出願人：株式会社日立製作所
  • 特開昭63-000347

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