特許

J-GLOBAL ID：202103012051740288

サーミスタセンサ及びその製造方法

発明者： 藤田 利晃 ,  佐古 渚 ,  鈴木 峻平 ,  長友 憲昭
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 秀幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-008239
公開番号（公開出願番号）：特開2019-129187
特許番号：特許第6944659号
出願日： 2018年01月22日
公開日（公表日）： 2019年08月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基材と、 前記基材上に形成された絶縁性下地膜と、 前記絶縁性下地膜上に形成されたサーミスタ特性を有する結晶性の金属窒化膜と、 前記金属窒化膜に形成された一対の対向電極とを備え、 前記絶縁性下地膜が、前記基材の外周縁を避けてパターン形成されていることを特徴とするサーミスタセンサ。

IPC (2件)：

H01C 7/04 ( 200 6.01) ,  H01C 17/12 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01C 7/04 ,  H01C 17/12

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 薄膜サーミスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-306750   出願人：石塚電子株式会社
• 温度センサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-227915   出願人：三菱マテリアル株式会社