特許

J-GLOBAL ID：202103013976681830

置換シクロペンタジエニルコバルト錯体及びその製造方法、コバルト含有薄膜及びその作製方法

発明者： 小礒 尚之 ,  山本 有紀 ,  尾池 浩幸 ,  早川 哲平 ,  古川 泰志 ,  多田 賢一
出願人/特許権者： 東ソー株式会社 ,  公益財団法人相模中央化学研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-239566
公開番号（公開出願番号）：特開2018-065777
特許番号：特許第6808281号
出願日： 2016年12月09日
公開日（公表日）： 2018年04月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】一般式(1) (式中、R1は一般式(2) (式中、R6、R7及びR8は、各々独立に炭素数1〜6のアルキル基を表す。)で表されるシリルオキシ基を表す。R2は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基又は一般式(2)で表されるシリルオキシ基を表す。R3、R4及びR5は、各々独立に水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表す。Lは炭素数4〜10のジエンを表す。)で示されるコバルト錯体。

IPC (4件)：

C07F 19/00 ( 200 6.01) ,  C23C 16/18 ( 200 6.01) ,  C07F 15/06 ( 200 6.01) ,  C07F 7/18 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C07F 19/00 CSP ,  C23C 16/18 ,  C07F 15/06 ,  C07F 7/18 D

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 金属錯体及び金属薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-044764   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 半導体用途のための新規コバルト前駆体
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2010-508957   出願人：レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

審査官引用 (2件)

• 金属錯体及び金属薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-044764   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 半導体用途のための新規コバルト前駆体
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2010-508957   出願人：レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Silylations of α,β-unsaturated and aromatic carbonyl compounds with cobalt carbonyls

審査官引用 (1件)

• Silylations of α,β-unsaturated and aromatic carbonyl compounds with cobalt carbonyls