特許

J-GLOBAL ID：202103014340189835

ナノシートおよびナノシートの製造方法

発明者： 木下 大也 ,  寺門 信明 ,  高橋 儀宏 ,  藤原 巧
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (1件)： 楠 修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-086241
公開番号（公開出願番号）：特開2021-178767
出願日： 2020年05月15日
公開日（公表日）： 2021年11月18日
要約：

【課題】小型化が進んだ電子デバイス等にも容易に組み込むことができ、熱流を制御可能なナノシートおよびナノシートの製造方法を提供する。【解決手段】CuとOとが鎖状に結合したチェーン層と、CuとOとが梯子状に結合したラダー層とを、中間層を介して交互に複数積層して成る多結晶の原料物質の粉末を、水酸化物を溶かした水溶液に入れて撹拌することにより、中間層のうちの1または複数を、水酸化物イオンを含む化合物層に変化させ、その化合物層で剥離する。これにより、チェーン層とラダー層とが、中間層を介して交互に積層された、厚みが100nm以下のナノシートを得る。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

CuとOとが鎖状および/または梯子状に結合した銅酸化物層を有し、厚みが100nm以下であることを特徴とするナノシート。

IPC (4件)：

C01G 3/00 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00 ,  B32B 9/00

FI (4件)：

C01G3/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B32B9/00 A

Fターム (6件)：

4F100AA17A ,  4F100AA17C ,  4F100AA18C ,  4F100AT00B ,  4F100BA08 ,  4F100JJ01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高感度のゲートを有する電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-119697   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
• 機能素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-246077   出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Epitaxial growth of single-crystalline thin film of Ca14Cu24O41: A heavy hole-doped two-legged spin