特許
J-GLOBAL ID：202103014683825532
光電変換装置及び画像読み取り装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
阿部 琢磨
, 黒岩 創吾
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-103715
公開番号（公開出願番号）：特開2017-212303
特許番号：特許第6800610号
出願日： 2016年05月24日
公開日（公表日）： 2017年11月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一主面に複数の凹部が配された半導体基板と、
前記複数の凹部に配された絶縁体と、を有し、
前記半導体基板は光電変換素子を有し、
前記光電変換素子は、第1導電型の第1半導体領域と、前記第1導電型と反対導電型であり信号電荷と同極性である第2導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域よりも不純物濃度が高く、少なくともその一部が前記第2半導体領域よりも前記一主面側に配された、前記第2導電型の第3半導体領域と、前記半導体基板の前記一主面側に配され、前記一主面に対する平面視において、前記第3半導体領域を囲む前記第1導電型の第4半導体領域と、を有し、
前記第4半導体領域の不純物濃度は、前記第1半導体領域の不純物濃度よりも高く、
前記一主面に対する平面視において、前記複数の凹部は前記第4半導体領域内に配され、
前記一主面に垂直な第1断面において、前記第3半導体領域を間に挟んで隣り合うように前記複数の凹部のうち第1の凹部及び第2の凹部が配され、
前記第1断面において、前記第1半導体領域は、前記第1の凹部の下に配された第1部分と、前記第2の凹部の下に配された第2部分と、を含み、
前記第1断面において、前記一主面と平行な線に沿って前記第1部分、前記第2半導体領域、及び、前記第2部分がこの順に並ぶように、前記第1部分及び前記第2部分の間に前記第2半導体領域が配され、
前記第1断面において、前記一主面と垂直な線に沿って、前記一主面の側から前記第3半導体領域、前記第2半導体領域、及び、前記第1半導体領域の一部がこの順に並び、
前記第1断面において、前記第2半導体領域は前記第1半導体領域と接しており、
前記第1断面において、前記第1半導体領域の前記第1部分及び前記第2半導体領域により構成されるPN接合部、ならびに、前記第1半導体領域の前記第2部分及び前記第2半導体領域により構成されるPN接合部が、前記第1の凹部の前記第2の凹部の側の端を通り前記主面に垂直な線、及び、前記第2の凹部の前記第1の凹部の側の端を通り前記主面に垂直な線の間に配され、
前記第4半導体領域及び前記第2半導体領域により構成されるPN接合部が、前記第1の凹部の前記第2の凹部の側の端を通り前記主面に垂直な前記線、及び、前記第2の凹部の前記第1の凹部の側の端を通り前記主面に垂直な前記線の間に配され、かつ、前記第1半導体領域の前記第1部分及び前記第2半導体領域により構成される前記PN接合部、及び、前記第1半導体領域の前記第2部分及び前記第2半導体領域により構成される前記PN接合部の間に配されていることを特徴とする光電変換装置。
IPC (4件)：
H01L 27/146 ( 200 6.01)
, H04N 5/361 ( 201 1.01)
, H04N 5/369 ( 201 1.01)
, H01L 31/10 ( 200 6.01)
H01L 27/146 A
, H04N 5/361
, H04N 5/369
, H01L 31/10
審査官引用 (2件)
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光電変換装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2009-283449
出願人：キヤノン株式会社
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光電変換素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-198146
出願人：キヤノン株式会社
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