特許
J-GLOBAL ID：202103016201675930
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
日向寺 雅彦
, 小崎 純一
, 市川 浩
, 白井 達哲
, 内田 敬人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-162883
公開番号（公開出願番号）：特開2020-035948
特許番号：特許第6826761号
出願日： 2018年08月31日
公開日（公表日）： 2020年03月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1金属及び第2金属を含む金属層を基板の上に形成する準備工程と、
前記金属層の少なくとも一部における前記第2金属を除去することで、前記第1金属からなり、複数の孔が設けられた多孔質状の第1金属部を前記基板の上に形成する形成工程と、
凹部が設けられた第1面と、半導体積層体と、を有する構造体を準備する別の準備工程と、
前記構造体に対して、前記第1金属部の一部を、前記第1面の前記凹部と接合し、前記第1金属部の別の一部を、前記第1面の前記凹部が設けられている面以外の面と接合する接合工程と、を備え、
前記接合工程において、前記凹部の少なくとも一部を前記第1金属部で埋め込むとともに、前記第1金属部の前記別の一部における複数の前記孔の平均径が、前記第1金属部の前記一部における複数の前記孔の平均径よりも小さくなるように、前記第1面に前記第1金属部を接合する半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/38 ( 201 0.01)
, H01L 33/40 ( 201 0.01)
, H01L 33/62 ( 201 0.01)
H01L 33/38
, H01L 33/40
, H01L 33/62
