特許
J-GLOBAL ID：201303050636382022

半導体発光素子

発明者：
松村 拓明

松村 拓明 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生 ,  言上 惠一 ,  山尾 憲人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-052938
公開番号（公開出願番号）：特開2013-239699
出願日： 2013年03月15日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：
【課題】色ムラを改善した半導体発光素子を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、支持基板と、第1半導体層と発光層と第2半導体層とを有してなり、前記支持基板上に設けられた半導体積層構造体と、前記第1半導体層と電気的に接続される第1電極と、前記第2半導体層と電気的に接続される第2電極と、前記半導体積層構造体の上面の一部及び側面を覆い、前記第1及び第2電極と電気的に分離された遮光部材と、前記遮光部材で覆われていない前記半導体積層構造体の上面を覆う波長変換部材と、を有することを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
支持基板と、 第1半導体層と発光層と第2半導体層とを有してなり、前記支持基板上に設けられた半導体積層構造体と、 前記第1半導体層と電気的に接続される第1電極と、 前記第2半導体層と電気的に接続される第2電極と、 前記半導体積層構造体の上面の一部及び側面を覆い、前記第1及び第2電極と電気的に分離された遮光部材と、 前記遮光部材で覆われていない前記半導体積層構造体の上面を覆う波長変換部材と、 を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/38
FI (1件)：
H01L33/00 210
Fターム (23件)：
5F141AA14 ,  5F141CA02 ,  5F141CA05 ,  5F141CA12 ,  5F141CA36 ,  5F141CA37 ,  5F141CA40 ,  5F141CA49 ,  5F141CA57 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA76 ,  5F141CA77 ,  5F141CA85 ,  5F141CA86 ,  5F141CA87 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CA93 ,  5F141CA98 ,  5F141CB15 ,  5F141CB16 ,  5F141CB36
引用特許：
審査官引用 (6件)
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