特許
J-GLOBAL ID:202103016217214755

量子型赤外線センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人グローバル知財
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2019-138335
公開番号(公開出願番号):特開2021-022662
出願日: 2019年07月26日
公開日(公表日): 2021年02月18日
要約:
【課題】本発明は、室温で動作でき、赤外線を高感度に検出できる量子型赤外線センサを提供する。【解決手段】量子型赤外線センサ1は、n型もしくはp型の何れか又は両方のドープ化合物半導体層2、3に挟まれたアンドープ化合物半導体層4を有する赤外線センサ1であって、アンドープ化合物半導体層4は、異種半導体のヘテロ接合で、ターゲットとする赤外線を吸収し得るバンドギャップのバンド内準位を形成する量子ドット領域7をヘテロ界面6に備える。そして、量子ドット領域7によって、フェルミ準位より低い伝導バンドのエネルギー準位が形成される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
n型もしくはp型の何れか又は両方のドープ化合物半導体層に挟まれたアンドープ化合物半導体層を有する赤外線センサであって、 前記アンドープ化合物半導体層は、異種半導体のヘテロ接合で、ターゲットとする赤外線を吸収し得るバンドギャップのバンド内準位を形成する量子ドット領域をヘテロ界面に備え、 前記量子ドット領域によって、フェルミ準位より低い伝導バンドのエネルギー準位が形成されたことを特徴とする量子型赤外線センサ。
IPC (1件):
H01L 31/08
FI (1件):
H01L31/08
Fターム (16件):
5F849AA17 ,  5F849AB01 ,  5F849AB07 ,  5F849AB09 ,  5F849BA01 ,  5F849BA30 ,  5F849CB01 ,  5F849DA16 ,  5F849DA33 ,  5F849FA05 ,  5F849FA13 ,  5F849GA06 ,  5F849LA01 ,  5F849XB18 ,  5F849XB21 ,  5F849XB24
引用特許:
審査官引用 (3件)

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