特許
J-GLOBAL ID：202103016380419305

半導体装置

発明者：
荒川 隆史

荒川 隆史 について

, 
高橋 茂樹

高橋 茂樹 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 矢作 和行 ,  野々部 泰平 ,  久保 貴則
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-118218
公開番号（公開出願番号）：特開2017-224685
特許番号：特許第6830767号
出願日： 2016年06月14日
公開日（公表日）： 2017年12月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型のドリフト層(17)と、 前記ドリフト層の一方の表層部に形成された第2導電型のベース層(11)及びアノード層(21)と、 前記ベース層に選択的に形成されたエミッタ層(13)と、 前記ドリフト層の他方の表層部に形成される第2導電型のコレクタ層(14)と第1導電型のカソード層(22)と、を備え、 前記エミッタ層、前記ベース層、前記ドリフト層、及び前記コレクタ層によってIGBTとして動作するIGBT領域(10)が形成され、前記IGBT領域に隣接して、前記アノード層、前記ドリフト層、及び前記カソード層によってダイオードとして動作するダイオード領域(20)が形成された半導体基板(50)を備え、 前記半導体基板において、さらに、前記IGBT領域及び前記ダイオード領域が隣接して形成されている素子領域を取り囲む外周領域に、前記アノード層と同電位の電圧が印加され、前記アノード層よりも形成深さの深い第2導電型のガードリング(30)が前記ドリフト層の一方の表層部に形成され、 前記IGBT領域と前記ダイオード領域とは、前記素子領域において、交互にストライプ状に配列されており、前記素子領域における前記ストライプ状の配列の両端には、前記IGBT領域が設けられており、 前記IGBT領域と前記ダイオード領域との配列方向と平行な前記ダイオード領域の側面において、前記カソード層と前記ガードリングとは、前記半導体基板の表面に平行な面へ投影した場合の前記カソード層と前記ガードリングとの間の距離の最小値をLとし、前記半導体基板の厚みをdとしたとき、L/d≧1.5を満たす位置に形成され、 前記アノード層は、当該アノード層の表層部に形成され、前記ドリフト層に蓄積されたキャリアを抜き取るための、前記アノード層よりも高不純物濃度のアノードコンタクト層(16b)を有し、 前記カソード層は、前記IGBT領域と前記ダイオード領域との配列方向と平行な前記ダイオード領域の側面において、前記ガードリングから前記素子領域内側に向かってL/d≧1.5を満たす位置で終端しており、 前記アノードコンタクト層は、前記アノード層内において、前記カソード層の終端位置よりも前記素子領域内側に形成される半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01)
FI (9件)：
H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/78 655 C ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 657 D ,  H01L 29/78 658 H ,  H01L 29/06 301 G ,  H01L 29/06 301 V ,  H01L 29/91 C
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-061813   出願人：株式会社デンソー
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-107225   出願人：株式会社デンソー
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-110412   出願人：株式会社東芝
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