特許

J-GLOBAL ID：202103017249812090

半導体装置

発明者： 村瀬 康裕 ,  芦峰 智行 ,  中川 博
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (5件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史 ,  江口 昭彦 ,  内藤 和彦 ,  佐藤 睦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-562067
特許番号：特許第6910599号
出願日： 2018年12月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1主面及び第2主面を有する半導体基板と、 前記半導体基板の前記第1主面側に設けられた第1電極と、 前記半導体基板と前記第1電極との間に設けられた誘電体層と、 前記第1電極の上に設けられた第1抵抗制御層と、 前記第1抵抗制御層の上に設けられた配線部と、 前記半導体基板の前記第2主面側に設けられた第2電極と、 前記半導体基板と前記第2電極との間の全域に亘って設けられた第2抵抗制御層と、 を備え、 前記第1抵抗制御層は、前記第1電極と前記配線部とを電気的に接続する第1領域と、前記第1領域と並び前記第1領域よりも電気抵抗率の高い第2領域と、を備え、 前記第2抵抗制御層は、前記半導体基板と前記第2電極とを電気的に接続する第3領域と、前記第3領域と並び前記第3領域よりも電気抵抗率の高い第4領域と、を備える半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/41 ( 200 6.01) ,  H01L 21/283 ( 200 6.01)

FI (8件)：

H01L 27/04 P ,  H01L 27/04 L ,  H01L 27/04 R ,  H01L 27/04 C ,  H01L 21/28 L ,  H01L 29/44 S ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/283 C

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭62-008550
  
• 可変容量装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-149974   出願人：株式会社村田製作所
• コンデンサを備えた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-368728   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭63-213956
  

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-008550
  
• 可変容量装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-149974   出願人：株式会社村田製作所
• コンデンサを備えた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-368728   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭63-213956