特許
J-GLOBAL ID：202103017293704750
炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の評価方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-248937
公開番号（公開出願番号）：特開2018-107166
特許番号：特許第6809208号
出願日： 2016年12月22日
公開日（公表日）： 2018年07月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 炭化珪素からなる第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の表面に設けられた、炭化珪素からなる第1導電型のエピタキシャル成長層と、
前記エピタキシャル成長層の内部に選択的に設けられた第2導電型半導体領域と、
前記エピタキシャル成長層と前記第2導電型半導体領域との間のpn接合で形成されたダイオード構造部と、
前記エピタキシャル成長層の内部において、前記第2導電型半導体領域と前記半導体基板との間に、前記第2導電型半導体領域と離れて設けられた発光層と、
前記第2導電型半導体領域に接する第1電極と、
前記半導体基板に接する第2電極と、
を備え、
前記エピタキシャル成長層は、前記第2導電型半導体領域側の部分よりも前記発光層側の部分が相対的に高不純物濃度であり、
前記発光層は、エレクトロルミネッセンス現象により、前記半導体基板、前記エピタキシャル成長層および前記第2導電型半導体領域と異なる所定波長の光を放出することを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01)
, H01L 29/861 ( 200 6.01)
, H01L 29/868 ( 200 6.01)
H01L 21/66 L
, H01L 29/91 F
, H01L 29/91 C
