特許

J-GLOBAL ID：200903001245298708

炭化珪素半導体基板およびそれを用いた炭化珪素半導体装置

発明者： 大野 俊之 ,  横山 夏樹
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-255682
公開番号（公開出願番号）：特開2009-088223
出願日： 2007年09月28日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：

【課題】炭化珪素エピタキシャル層中の基底面転位を減らすことができる炭化珪素半導体基板の製造方法を提供する。 【解決手段】デバイスが作り込まれる炭化珪素エピタキシャル層(ドリフト層)と炭化珪素単結晶ウエハからなる下地基板との間に、 炭化珪素単結晶ウエハ中の基底面転位がエピタキシャル成長層中に伝播する際に貫通刃状転位に変換される変換効率の高い層(転位変換層)を、エピタキシャル成長によって設ける。この転位変換層のドナー濃度をドリフト層のドナー濃度よりも低く設定することにより、ドリフト層が単層であるよりも、より多くの基底面転位を貫通刃状転位に変換することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素単結晶からなる下地基板とその一方の表面上に形成された炭化珪素エピタキシャル成長層を有する炭化珪素半導体基板において、 前記エピタキシャル成長層が、所望のドナー濃度を有し、半導体装置の構成要素が作り込まれるための層であるドリフト層となる第1の半導体層と、 前記ドリフト層と前記下地基板の間にあって、前記第1の半導体層よりも低いドナー濃度を有する第2の半導体層とにより構成されることを特徴とする炭化珪素半導体基板。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/205

FI (8件)：

H01L21/20 ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 A ,  H01L29/91 K ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 F ,  H01L21/205 ,  H01L29/48 P

Fターム (30件)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104DD55 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA60 ,  5F152LL03 ,  5F152LN03 ,  5F152MM02 ,  5F152MM04 ,  5F152NN05 ,  5F152NN27 ,  5F152NP02 ,  5F152NQ02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 積層欠陥核生成サイトを減らして、バイポーラデバイスのVfドリフトを低減する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-528051   出願人：クリーインコーポレイテッド
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-121783   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-189468   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-193460   出願人：株式会社デンソー
• 炭化珪素トランジスタ装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-065469   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所