エピタキシャルウェハの製造方法、エピタキシャルウェハ、半導体装置の製造方法及び半導体装置

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出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：鈴木壯兵衞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-214758
公開番号（公開出願番号）：特開2017-085047
出願日： 2015年10月30日
公開日（公表日）： 2017年05月18日
要約：

【課題】エピタキシャル成長層の厚みを抑制しつつ、大電流でバイポーラ動作させても、基板上のエピタキシャル成長層と基板との界面から拡張する帯状積層欠陥の発生を効果的に抑制するエピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】エピタキシャルウェハの製造方法は、炭化珪素の基板の上に、導電型を決める主ドーパントを添加すると共に少数キャリアを捕獲する副ドーパントを主ドーパントのドーピング濃度より低いドーピング濃度で添加して、耐圧維持層から基板の方向に流れる少数キャリアの捕獲及び消滅を促進する、耐圧維持層より低抵抗の、炭化珪素を主成分とするバッファ層をエピタキシャル成長するステップ(S1〜S5)と、バッファ層の上に耐圧維持層をエピタキシャル成長するステップと、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素の基板と耐圧維持層とを備えるエピタキシャルウェハの製造方法において、前記基板の上に、導電型を決める主ドーパントを添加すると共に少数キャリアを捕獲する副ドーパントを前記主ドーパントのドーピング濃度より低いドーピング濃度で添加して、前記耐圧維持層から前記基板の方向に流れる前記少数キャリアの捕獲及び消滅を促進する、前記耐圧維持層より低抵抗の、炭化珪素を主成分とするバッファ層をエピタキシャル成長するステップと、前記バッファ層の上に前記耐圧維持層をエピタキシャル成長するステップと、を含むことを特徴とするエピタキシャルウェハの製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/205 , C30B 25/16 , C30B 25/20 , C30B 29/36 , C23C 16/42 , H01L 29/06 , H01L 29/868 , H01L 29/861 , H01L 21/329

FI (10件)：

H01L21/205 , C30B25/16 , C30B25/20 , C30B29/36 A , C23C16/42 , H01L29/06 301G , H01L29/91 D , H01L29/06 301V , H01L29/91 F , H01L29/91 A

Fターム (37件)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BE08 , 4G077EB01 , 4G077EB06 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB02 , 4G077TC02 , 4G077TC12 , 4G077TJ06 , 4G077TK06 , 4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030LA12 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC19 , 5F045AD18 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045BB12 , 5F045CB02 , 5F045DA53 , 5F045DA59

引用特許：

審査官引用 (4件)

気相成長装置および気相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-059830 出願人：株式会社東芝
低オフアクシスSiCウエハ上のSiCのホモエピタキシャル成長
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-208524 出願人：ノーステルエービー
半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-020422 出願人：三菱電機株式会社

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