特許
J-GLOBAL ID:202103018305656558
プラズマ処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
木内 光春
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-251556
公開番号(公開出願番号):特開2017-120781
特許番号:特許第6800009号
出願日: 2016年12月26日
公開日(公表日): 2017年07月06日
請求項(抜粋):
【請求項1】 一端に開口部が設けられ、内部にプロセスガスが導入され、プラズマを発生させる筒形電極と、
ワークを循環搬送させながら、電圧が印加された前記筒形電極の前記開口部の下を通過させる搬送部と、
前記開口部と前記搬送部の間に配置され、前記筒形電極の内部で発生した前記プラズマに含まれる電子を誘導して、前記開口部の下を通過する前記ワークにプラズマを到達させる電子誘導部材と、を備え、
前記電子誘導部材は、導電性部材と、前記導電性部材にコーティングされたエッチング防止剤、酸化防止剤又は窒化防止剤と、を含むことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件):
H05H 1/46 ( 200 6.01)
, C23C 14/58 ( 200 6.01)
FI (2件):
H05H 1/46 M
, C23C 14/58 Z
引用特許:
審査官引用 (5件)
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-240470
出願人:芝浦メカトロニクス株式会社
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スパッタリング装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-055928
出願人:芝浦メカトロニクス株式会社
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-086450
出願人:東京エレクトロン株式会社
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プラズマ処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-010089
出願人:ソニー株式会社
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表面処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-066106
出願人:株式会社小松製作所
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