特許

J-GLOBAL ID：202103019098482699

メモリスタ、それを備えた半導体素子およびメモリスタを備えたアレイシステム

発明者： 林 侑介 ,  藤平 哲也 ,  酒井 朗
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学
代理人 (1件)： 松山 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-214807
公開番号（公開出願番号）：特開2021-106262
出願日： 2020年12月24日
公開日（公表日）： 2021年07月26日
要約：

【課題】生体系が有する高次機能を発揮できるメモリスタを提供する。【解決手段】メモリスタ10は、絶縁破壊プロセスを必要としないメモリスタであって、酸化物半導体層2と、端子3〜6とを備える。酸化物半導体層2は、単結晶TiO2-x(0 請求項（抜粋）：

絶縁破壊プロセスを必要としないメモリスタであって、 ドーパントを含む酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層に電圧を印加し、前記ドーパントの分布を2次元分布または3次元分布に制御する端子とを備えるメモリスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/10 ,  H01L 29/06 ,  G06N 3/063 ,  G11C 11/54

FI (5件)：

H01L27/105 448 ,  H01L27/10 451 ,  H01L29/06 601N ,  G06N3/063 ,  G11C11/54

Fターム (4件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083JA60 ,  5F083PR25