特許
J-GLOBAL ID：202103019099587052

半導体発光素子

発明者：
能崎 信一郎

能崎 信一郎 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (3件)： 新居 広守 ,  寺谷 英作 ,  道坂 伸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-509227
特許番号：特許第6785221号
出願日： 2016年03月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板と、 前記基板の上方に配置された第1導電型の第1のクラッド層と、 前記第1のクラッド層の上方に配置された前記第1導電型の第1のガイド層と、 前記第1のガイド層の上方に配置された活性層と、 前記活性層の上方に配置された第2のガイド層と、 前記第2のガイド層の上方に配置された、前記第1導電型とは異なる第2導電型の第2のクラッド層とを備え、 前記第1のクラッド層と前記第1のガイド層との間に配置され、前記第1導電型のドーパント濃度が、前記第1のクラッド層の平均のドーパント濃度よりも高い、第1の高濃度ドープ層を有し、 前記第1の高濃度ドープ層のドーパント濃度は、1×1020cm-3以上、1×1022cm-3以下であり、 前記第1の高濃度ドープ層の厚さは、0.5nm以上、1.5nm以下であり、 前記第1のクラッド層は、第1の半導体層と、第2の半導体層とを含む多層膜からなり、前記第1の半導体層の屈折率は、前記第2の半導体層の屈折率と異なる 半導体発光素子。
IPC (4件)：
H01S 5/343 ( 200 6.01) ,  H01S 5/22 ( 200 6.01) ,  H01L 33/04 ( 201 0.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01)
FI (4件)：
H01S 5/343 610 ,  H01S 5/22 ,  H01L 33/04 ,  H01L 33/32
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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