特許
J-GLOBAL ID：200903004198005097

半導体発光素子

発明者：
太田 裕朗

太田 裕朗 について

, 
西田 敏夫

西田 敏夫 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 岡田 賢治 ,  今下 勝博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-245469
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059756
出願日： 2005年08月26日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】 隣接するIII族窒化物系化合物の層の間のヘテロ界面では、自発分極及び圧電分極によって界面電荷が生ずる。前記界面電荷の影響を低減するために不純物を添加すれば、前記不純物は光を吸収し、前記不純物の拡散で活性層が劣化して半導体発光素子の寿命を短くする。従って、III族窒化物系化合物を積層した半導体発光素子は、電気特性の改善と発光効率及び寿命の発光特性との両立が困難であるという課題があった。本発明は前記課題を解決するため、発光特性を維持しつつ、互いに組成の異なる二の半導体層が隣接する界面における界面電荷の影響を低減して電気特性を改善した半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明に係る半導体発光素子は、互いに組成の異なる二つの半導体層が隣接する界面近傍の不純物濃度を前記半導体層のそれぞれの不純物の平均濃度より高くなるように構成した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電子及び正孔が再結合して光が発生する活性層と、 III族窒化物系化合物を前記活性層に対して極性がp型の側に隣接して積層し、前記活性層で発生した光を導波する第一半導体層と、 前記第一半導体層のIII族窒化物系化合物の組成と異なる組成のIII族窒化物系化合物を前記第一半導体層の前記活性層の側と反対の側に隣接して積層し、前記活性層に正孔を供給する第二半導体層と、 を備える半導体発光素子であって、 前記第一半導体層におけるp型不純物の平均の濃度及び前記第二半導体層におけるp型不純物の平均の濃度より高いp型不純物の濃度のドーピング領域を前記第一半導体層と前記第二半導体層との界面に有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (12件)：
5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 窒化物半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-311272   出願人：日亜化学工業株式会社
審査官引用 (4件)
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