特許
J-GLOBAL ID：202103020853219942

半導体装置及び消費電流テスト方法

発明者：
小林 和仁

小林 和仁 について


出願人/特許権者：
ラピスセミコンダクタ株式会社

ラピスセミコンダクタ株式会社 について


代理人 (2件)： 藤村 元彦 ,  高野 信司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-210590
公開番号（公開出願番号）：特開2018-073935
特許番号：特許第6808444号
出願日： 2016年10月27日
公開日（公表日）： 2018年05月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 電源供給ラインを介して供給された電圧を受けて動作する内部回路を含む半導体装置であって、 第1の電源電圧及び前記第1の電源電圧よりも低い第2の電源電圧を生成し、第1モード時には前記第1の電源電圧を選択して前記電源供給ラインに供給し、第2モード時には前記第2の電源電圧を選択して前記電源供給ラインに供給する電源回路と、 テスト信号を受け、且つ前記電源回路が前記第1の電源電圧を選択している状態から前記第2の電源電圧を選択する状態に遷移した場合に、前記電源供給ラインを接地ラインに接続して放電実行する放電回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H02M 3/00 ( 200 6.01) ,  H02J 9/00 ( 200 6.01) ,  H02J 9/04 ( 200 6.01) ,  G01R 31/28 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 27/04 T ,  H02M 3/00 H ,  H02J 9/00 150 ,  H02J 9/04 ,  G01R 31/28 V
引用特許：
審査官引用 (5件)
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