スピントロニクスデバイス用室温ハーフメタルの探索

体系的課題番号：JPMJPR0764
実施期間：2007 - 2011
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 磁性材料センター, 主任研究員 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJPR0764
研究概要：

微細化の限界を目前にした半導体デバイスに将来替わると期待されているスピントロニクスデバイス実現のためには、室温で電子のスピン偏極率が100%の強磁性ハーフメタルが必要とされています。本研究では、点接触アンドレーエフ反射法によるスピン偏極率の直接測定により室温ハーフメタルを探索し、それにより磁気抵抗素子や半導体・磁性デバイスの実現に貢献することを目指します。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

2011 終了報告書

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