縦型立体構造デバイス実現に向けた半導体ナノワイヤの開発

体系的課題番号：JPMJPR0767
実施期間：2007 - 2010
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 半導体材料センター, 主任研究員 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJPR0767
研究概要：

現行のMOSFETの性能限界を解決するためには、新たなチャネル構造を有する新構造トランジスタの開発が必要です。本研究では、次世代型の超低消費電力MOSFETとして注目されている縦型立体構造を有するサラウンディングゲートトランジスタの実現に向けて、その伝導チャネルとなる1次元構造の半導体ナノワイヤに着目した新規デバイスの開発を目指します。

, , ,

研究制度：＞＞
上位研究課題：革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

2010 終了報告書

前のページに戻る