MoS_2単分子層における周期的巨大不均一歪の工学的生成【JST・京大機械翻訳】

Blundo Elena; Di Giorgio Cinzia; Pettinari Giorgio; Yildirim Tanju; Felici Marco; Lu Yuerui; Bobba Fabrizio; Polimeni Antonio

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202203103343669 整理番号：22P0114124

MoS_2単分子層における周期的巨大不均一歪の工学的生成【JST・京大機械翻訳】

Engineered creation of periodic giant, non-uniform strains in MoS2 monolayers

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発行年： 2020年02月20日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年02月20日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

二次元結晶における規則化歪場の実現は,新しい輸送様式の不変性と強化されたデバイス性能の達成を含む,多くの点で興味深い展望である。本研究では,原子的に薄い二硫化モリブデン(MoS_2)のマイクロメートル領域を所望の秩序を持つ巨大歪に曝す可能性を実証した。機械的に変形したMoS_2膜はバルクフレークの陽子照射によって得られ,加圧水素を含む単層ドームの形成をもたらす。高分子マスクと電子ビームリソグラフィーの堆積によるフレークのプレパターニングにより,ドームのサイズや位置を制御するだけでなく,機械的制約を創り出すことが可能であることを示した。原子間力顕微鏡測定は,この制約がドームの形態を著しく変化させ,さもなければ普遍的なスケーリング則に従うことを明らかにした。照射とパターニングプロセスの最適化により,数値シミュレーションで推定した大きな歪勾配の前例のない周期的配置が,破断臨界値(>10%)に近い最高の歪で生成された。このような高歪の生成をRaman実験により確認した。ここで提案した方法は,二次元結晶の歪工学に向けた重要なステップである。【JST・京大機械翻訳】

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塩 , 半導体薄膜 , 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造

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