プレプリント
J-GLOBAL ID:202202209385225440   整理番号:22P0002194

La_1.8Eu_0.2CuO_4とNd_2CuO_4のアニーリングによる電子状態の異なる変化【JST・京大機械翻訳】

Distinct variation of electronic states due to annealing in La$_{1.8}$Eu$_{0.2}$CuO$_4$ and Nd$_{2}$CuO$_4$
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発行年: 2020年05月21日  プレプリントサーバーでの情報更新日: 2020年05月21日
JST資料番号: O7000B  資料種別: プレプリント
記事区分: プレプリント  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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T’型La_1.8Eu_0.2CuO_4(LECO)とNd_2CuO_4(NCO)についてCu{K}エッジX線吸収微細構造測定を行い,アニーリングによる超伝導の出現に伴う電子状態の変化を調べた。焼結したままの(AS)LECOのX線吸収端近傍構造スペクトルはAS NCOと非常に類似し,AS T’型LECOの基底状態がMott絶縁体であることを示した。アニーリングによるLECOのCuサイトでの電子状態の著しい変化を見出した。焼なまし後の電子密度(n_AN)を超伝導LECOと非超伝導NCOの両方について評価し,それぞれCuあたり0.40と0.05電子であることを見出した。LECOでは,NCOではなく,拡張X線吸収微細構造解析は,アニーリングによるCuO_2面のCu-O結合の強さの軟化を明らかにし,これは金属状態のフォノンに対する遮蔽効果と一致する。LECOとNCOのアニーリング(δ)による酸素損失量は互いに同程度であるので,これらの結果は2つの化合物における明確な電子ドーピング過程を示唆する。NCOにおける電子ドーピングは,電子が酸素欠陥を通してドープされるならば,n_AN=2δの関係が理解できるが,アニール誘起金属的性質とLECOの大きなn_ANは,電子バンド構造の変化がキャリアの自己ドーピングを引き起こすことを示唆する。アニーリングによるドーピング過程の違いの起源を電荷移動ギャップのサイズとの関連で考察した。【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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酸化物系超伝導体の物性 
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