Siドープb{eta}-Ga_2O_3膜における不純物バンド伝導【JST・京大機械翻訳】

Rajapitamahuni Anil Kumar; Thoutam Laxman Raju; Ranga Praneeth; Krishnamoorthy Sriram; Jalan Bharat

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202211996446684 整理番号：21P0051764

Siドープb{eta}-Ga_2O_3膜における不純物バンド伝導【JST・京大機械翻訳】

Impurity Band Conduction in Si-doped \b{eta}-Ga2O3 Films

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発行年： 2020年10月01日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年10月01日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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温度依存抵抗率とHall効果測定を組合せて,有機金属気相エピタキシー(MOVPE)を用いて成長させたSiドープb{eta}-Ga_2O_3膜のドナー状態エネルギーを調べた。高磁場Hall効果測定(H=+/-90kOe)はT<150Kに対して非線形Hall抵抗を示し,2バンド伝導を明らかにした。さらなる分析は,ドナー状態エネルギーが約33.7および~45.6meVである両バンドにおけるキャリア凍結特性を明らかにした。前者はb{eta}-Ga_2O_3中のSiのドナーエネルギーと一致したが,後者はDX中心と関連する残留ドナー状態を示唆した。本研究は,高磁場磁気輸送測定を用いたb{eta}-Ga_2O_3の不純物バンド伝導と欠陥エネルギー状態への重要な洞察を提供する。【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電気伝導 , 半導体結晶の電子構造 , 半導体薄膜

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