エピタキシャル反強磁性NiO(001)/Pt薄膜におけるスピンHallと通常の磁気抵抗の全角度依存性【JST・京大機械翻訳】

Baldrati Lorenzo; Ross Andrew; Niizeki Tomohiko; Schneider Christoph; Ramos Rafael; Cramer Joel; Gomonay Olena; Filianina Mariia; Savchenko Tatiana; Heinze Daniel; Kleibert Armin; Saitoh Eiji; Sinova Jairo; Klaeui Mathias

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202213093304967 整理番号：21P0004971

エピタキシャル反強磁性NiO(001)/Pt薄膜におけるスピンHallと通常の磁気抵抗の全角度依存性【JST・京大機械翻訳】

Full angular dependence of the spin Hall and ordinary magnetoresistance in epitaxial antiferromagnetic NiO(001)/Pt thin films

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資料名：
発行年： 2017年09月04日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2021年06月24日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

エピタキシャル反強磁性絶縁体NiO(001)と重金属Ptの二層におけるスピンHall磁気抵抗(SMR)の3次元角依存性の観測を,強磁性元素なしで報告する。検出した角度依存縦および横磁気抵抗を,3つの直交面(xy-,yz-およびxz-回転面,z-軸が試料面に直交する)に沿って,11Tまでの磁場中で試料を回転することによって測定した。全磁気抵抗はSMRと通常の磁気抵抗の両方から生じる寄与を持つ。SMR信号の開始は1と3Tの間で生じ,飽和は11Tまでは見えなかった。SMRの三次元角依存性は,Zeemanエネルギーと非磁性MgO基板の弾性クランプ効果との間の競合から生じる,NiO(001)における磁気歪反強磁性S-およびT-ドメインの可逆場誘起再分布を考慮したモデルによって説明できた。観測したSMR比から,NiO/Pt界面でのスピン混合コンダクタンスを2×10 ̄14Ω ̄-1m ̄-2以上と推定した。著者らの結果は,xy-およびxz-平面における回転のために,安定なNiO(001)薄膜におけるN’eelベクトル方向を電気的に検出する可能性を実証した。さらに,通常の磁気抵抗寄与の注意深い減算がSMRの振幅を正しく推定するために重要であることを示した。【JST・京大機械翻訳】

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, , 【Automatic Indexing@JST】

酸化物結晶の磁性 , その他の無機化合物の電気伝導 , 酸化物薄膜

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