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J-GLOBAL ID：202202213308713954   整理番号：22A0449861

増強された駆動電流と急峻スイッチングを持つInSb/Siヘテロ接合ベースのトンネル電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

InSb/Si Heterojunction-Based Tunnelling Field-Effect Transistor with Enhanced Drive Current and Steep Switching

著者 (4件)： Swain Sukanta Kumar (Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Information Technology, Ranchi, Jharkhand, India) ,  Malviya Nishit (Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Information Technology, Ranchi, Jharkhand, India) ,  Singh Sangeeta (Microelectronics & VLSI Design Lab, National Institute of Technology, Patna, Bihar, India) ,  Sharma Shashi Kant (Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Information Technology, Ranchi, Jharkhand, India)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 51  号： 2  ページ： 704-711  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,高ON電流と低サブ閾値スイング(SS)を達成するために,非対称ゲート構造を有するドレインドーピング工学を採用することによるInSb/Siヘテロ接合ベーストンネル電界効果トランジスタ(TFET)のシミュレーション研究を報告する。ソースに対するドレインおよびInSbに対するn+ポケットの導入は,I_ON/I_OFF比を著しく改善した。提案した構造の接地面は,短チャネルデバイスに対する有効チャネル長を増加させるドレインに向けて電場を低減する。較正した網羅的TCAD研究を展開して,提案した構造のデバイス物理を解析した。I_ON/I_OFF比および平均サブ閾値スイング(SS_Avg)の値は,それぞれ,λ≧12および29mV/decadeであった。提案したTFET構造において,2極性挙動を抑制する平均サブ閾値スイングとより低いOFF電流(I_OFF)は,高性能,超低電力応用へのその適合性を確実にする。Copyright The Minerals, Metals & Materials Society 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  シミュレーション ,  スイッチング ,  電場 ,  *電流 ,  *ケイ素 ,  非対称性 ,  *アンチモン化インジウム
準シソーラス用語： チャネル長 ,  *駆動電流 ,  TCAD ,  超低消費電力 ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  短チャネル ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： TFET ,  ヘテロ接合 ,  接地面 ,  バンド間トンネリング ,  サブ閾値スイング ,  両極性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 増強 ,  駆動電流 ,  スイッチング ,  InSb ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  トンネル電界効果トランジスタ