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J-GLOBAL ID：202202214250739652   整理番号：22A0630316

エッジ終端のない1GW/cm2垂直Ga_2O_3Schottky障壁ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Over 1 GW/cm₂ Vertical Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes Without Edge Termination

著者 (13件)： He Qiming (School of Electronic and Information Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Hao Weibing (School of Microelectronics, USTC, Hefei, China) ,  Zhou Xuanze (School of Microelectronics, USTC, Hefei, China) ,  Li Yu (NRSL, USTC, Hefei, China) ,  Zhou Kai (School of Microelectronics, USTC, Hefei, China) ,  Chen Chen (School of Microelectronics, USTC, Hefei, China) ,  Xiong Wenhao (School of Microelectronics, USTC, Hefei, China) ,  Jian Guangzhong (School of Microelectronics, USTC, Hefei, China) ,  Xu Guangwei (School of Microelectronics, USTC, Hefei, China) ,  Zhao Xiaolong (School of Microelectronics, USTC, Hefei, China) ,  Wu Xiaojun (School of Electronic and Information Engineering, Beihang University, Beijing, China) ,  Zhu Junfa (NRSL, USTC, Hefei, China) ,  Long Shibing (School of Microelectronics, USTC, Hefei, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 43  号： 2  ページ： 264-267  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,エッジ終端なしで1GW/cm2の電力性能指数を通して,垂直β-Ga_2O_3Schottky障壁ダイオード(SBD)破壊を示した。空気中で自然に形成されるΔΣ_1.2x10λ>16Ωcm-3ドリフト領域の最上部の信頼できない表面を誘導結合プラズマエッチングによって除去した。修復した表面を,全調製プロセスの間に10分未満の周囲空気に曝露した。過度の空気曝露試料と比較して,漏れ電流は清浄表面上に作製したNi/β-Ga_2O_3 SBDに対して十分に抑制された。さらに,ブロッキング電圧は1720Vの最大値に達し,同じウエハ上のダイオードの前方/逆特性は良好な均一性を示した。これらの結果は,β-Ga_2O_3デバイスの性能をさらに改善するための道を開き,電力用途のためのβ-Ga_2O_3 SBDの可能性を検証した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ダイオード ,  電圧 ,  電力 ,  性能指数 ,  ドリフト ,  漏れ電流 ,  ブロッキング ,  ウエハ【IC】 ,  電磁結合 ,  清浄面 ,  *成端 ,  プラズマエッチング
準シソーラス用語： 周囲空気 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (3件)： エッジ ,  終端 ,  垂直