Yan Yiyi について
ICTEAM Institute, Universite catholique de Louvain, 1348 Louvain-la-Neuve, Belgium について
Kilchytska Valeriya について
ICTEAM Institute, Universite catholique de Louvain, 1348 Louvain-la-Neuve, Belgium について
Wang Bin について
School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China について
Faniel Sebastien について
ICTEAM Institute, Universite catholique de Louvain, 1348 Louvain-la-Neuve, Belgium について
Zeng Yun について
School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China について
Raskin Jean-Pierre について
ICTEAM Institute, Universite catholique de Louvain, 1348 Louvain-la-Neuve, Belgium について
Flandre Denis について
ICTEAM Institute, Universite catholique de Louvain, 1348 Louvain-la-Neuve, Belgium について
Microelectronic Engineering について
コンデンサ について
プラズマ について
電荷 について
トンネル効果 について
発光 について
半導体 について
誘電体 について
酸化物 について
漏れ電流 について
導関数 について
熱酸化 について
コンダクタンス について
ゲート絶縁膜 について
MOSコンデンサ について
界面トラップ について
Al_2O_3/SiO_2誘電体スタック について
MOSキャパシタ について
界面トラップ密度 について
固定酸化物電荷 について
漏れ電流 について
トンネル機構 について
金属-絶縁体-半導体構造 について
トランジスタ について
CMOSトランジスタ について
誘電体 について
スタック について
特性評価 について