文献

J-GLOBAL ID：202202217984105936   整理番号：22A0467070

トップダウン法を用いて形成したシリコンナノワイヤ表面上の欠陥制御とSi/Geコア-シェルヘテロ接合形成【JST・京大機械翻訳】

Defect control and Si/Ge core-shell heterojunction formation on silicon nanowire surfaces formed using the top-down method

著者 (6件)： Fukata Naoki (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Fukata Naoki (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Jevasuwan Wipakorn (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Sun Yong-Lie (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Sun Yong-Lie (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Sugimoto Yoshimasa (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044, Japan)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 33  号： 13  ページ： 135602 (7pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面欠陥と不純物ドーピングの制御は半導体ナノワイヤ(NWs)を使用するデバイスを実現するための重要な鍵である。不純物散乱を抑圧できる構造として,NW内部に放射状ヘテロ接合を有するp-Si/i(固有)-Geコア-シェルNWが形成された。トップダウン法を用いてNWsを形成すると,NWsの位置は制御できるが,それらの表面は損傷を受ける。表面損傷を修復する熱処理を行うと,NWの表面粗さは大気ガスの種類に密接に依存する。シェル形成前の酸化と化学エッチングは,p-SiNW上の表面損傷層を除去し,同時にNWsの直径の減少を達成した。最後に,不純物散乱を抑制するのに重要な正孔ガス蓄積を,p-Si/i-Geコア-シェルNWのi-Ge層で観察した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  正孔 ,  不純物 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  ドーピング ,  表面欠陥 ,  ウェットエッチング ,  *コアシェル構造
準シソーラス用語： 不純物散乱 ,  *シリコンナノワイヤ ,  表面損傷 ,  半導体ナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (7件)： トップダウン ,  シリコンナノワイヤ ,  欠陥 ,  Si ,  Ge ,  コア-シェル ,  ヘテロ接合