マイクロエレクトロニクスの熱管理のためのアンチドットグラフェンを用いた最適化アクティブ冷却と冷凍【JST・京大機械翻訳】

Tang Shuang; Juan Andy; Drysdale David; Menjivar Joseph Duarte; Guzman Jason

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202218571984873 整理番号：22P0275007

マイクロエレクトロニクスの熱管理のためのアンチドットグラフェンを用いた最適化アクティブ冷却と冷凍【JST・京大機械翻訳】

Optimized Active Cooling and Refrigeration using Antidoted Graphene for Heat Management of Microelectronics

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで

この文献はプレプリントです。プレプリントについてはこちらをご確認ください。

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
発行年： 2022年01月15日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月15日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

人工欠陥生成の技術によって,著者らは多くの二次元(2D)層状材料のバンド構造と輸送特性を調整することができた。1つのプロトタイプ材料システムは,ナノスケールで焦点イオンまたは電子ビームを用いて周期的細孔を作るアンチドットグラフェンシートである。ここでは,異なる細孔-半径と多孔質間距離を有するアンチドットグラフェン試料の冷却と冷凍の電気伝導率,熱電能,および活性速度を研究した。拡散,弾道および量子ホッピング領域における弾性および非弾性散乱を記述するのに使用できる電荷キャリアエネルギーへの輸送の感度を考慮した計算法を使用した。新しい計算法からの結果は,いくつかの伝統的な方法論と比較して,実験データとより一致することが分かった。また,冷却と冷凍の最適活性速度は,多孔質間距離と細孔半径の分布変動に対して非常にロバストであり,これは,容易な工業化と安価な製造を意味する。同じ分析と調査は,遷移金属ジカルコゲン化物(TMD),青色ホスホレンとテルルを含む多くの他の層状材料にも拡張できる。【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , , , ,
, , , , 【Automatic Indexing@JST】

その他の無機化合物の薄膜 , その他の無機化合物の電気伝導

, , ,

前のページに戻る