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J-GLOBAL ID：202202224541109431   整理番号：22A1090043

ペロブスカイト/Siタンデム太陽電池のための走査ゾーンアニーリングにより制御された中間層SiO_xによるTiO_2/Siの効果的不動態化【JST・京大機械翻訳】

Effective passivation of TiO₂/Si by interlayer SiO_x controlled by scanning zone annealing for perovskite/Si tandem solar cell

著者 (3件)： Budiutama Gekko (Department of Chemical Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, NE-3, 2-12-1, Ookayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan) ,  Manzhos Sergei (Department of Chemical Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, NE-3, 2-12-1, Ookayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan) ,  Ihara Manabu (Department of Chemical Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, NE-3, 2-12-1, Ookayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan)
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 236  ページ： 772-781  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トップセルとして有機金属ハライドペロブスカイトとボトムセルとして結晶性シリコン(Si)を利用した2末端タンデム太陽電池は,その高い理論的エネルギー変換効率のために近年多くの注目を集めている。多くの異なるアプローチの中で,比較的簡単なデバイスアーキテクチャを持つ高いエネルギー変換効率が,Siボトムセル上のペロブスカイトトップセルの電子輸送材料の直接堆積によって達成できる。このタイプの太陽電池からの抽出可能電流の量を最大化するために,電子輸送層とSiの間の界面での表面再結合の正確な制御が重要な因子である。本研究では,TiO_2/Si界面の選択的処理による表面再結合を低減するために,著者らの研究グループによって開発されたユニークな加熱処理である走査ゾーンアニーリング(SZA)の利用を提案した。この方法は,スパッタTiO_2/Si界面の少数キャリア寿命を,p型フロートゾーンSiでは6.3μsから355μs,n型フロートゾーンSiでは7.9μsから310μs,p型Czochralski Siでは9.3μsから271μsまで増大することが分かった。さらに,SZAによるTiO_2/Si界面での表面再結合の減少の背後にある起源を,界面の直接観察に基づいて提案した。ここでは,自然に形成されたSiO_x中間層の厚みがTiO_2/Si界面での表面再結合の低減に重要であり,SZA処理中に移動した熱の量を調節することによりナノメータスケールで制御可能であることを見出した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  キャリア寿命 ,  *焼なまし ,  *太陽電池 ,  電流 ,  *ケイ素 ,  *不動態化 ,  金属酸化物 ,  計算機アーキテクチャ
準シソーラス用語： 表面再結合 ,  *タンデム太陽電池 ,  電子輸送層 ,  加熱処理 ,  電子輸送 ,  少数キャリア寿命 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ペロブスカイト/Siタンデム太陽電池 ,  Si表面不動態化 ,  Si/金属酸化物界面 ,  アニーリングプロセス

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： ペロブスカイト ,  Si ,  タンデム太陽電池 ,  走査 ,  ゾーン ,  アニーリング ,  中間層 ,  不動態化