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J-GLOBAL ID：202202229007439126   整理番号：22A1153641

モノおよび二層h-BNトンネル接触によるWS_2電界効果トランジスタの性能向上【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Performance of WS₂ Field-Effect Transistor through Mono and Bilayer h-BN Tunneling Contacts

著者 (12件)： Phan Nhat Anh Nguyen (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Noh Hamin (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Kim Jihoon (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Kim Yewon (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Kim Hanul (Samsung-SKKU Graphene Centre, Sungkyunkwan Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Whang Dongmok (Samsung-SKKU Graphene Centre, Sungkyunkwan Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Whang Dongmok (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Aoki Nobuyuki (Department of Materials Science, Chiba University, Chiba, 263-8522, Japan) ,  Watanabe Kenji (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, 305-0044, Japan) ,  Taniguchi Takashi (International Center for Material Nano-Architectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, 305-0044, Japan) ,  Kim Gil-Ho (Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Kim Gil-Ho (Samsung-SKKU Graphene Centre, Sungkyunkwan Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea)
資料名： Small  (Small)
巻： 18  号： 13  ページ： e2105753  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)は,それらのユニークな特性のために大きな関心事である。しかし,TMD材料は,接触抵抗と表面汚染の実用化を制限する二つの主要な課題に直面している。ここでは,クロム(Cr)と二硫化タングステン(WS_2)界面に六方晶窒化ホウ素(h-BN)の単層を挿入することにより,これらの問題を克服する戦略を紹介した。4層WS_2電界効果トランジスタ(FET)におけるモノおよび二重層h-BNとの直接金属-半導体(MS)および金属-絶縁体-半導体(MIS)接触の電気的挙動を,77から300Kの真空下で評価した。MIS接触の性能は,Crとインジウム(In)を用いるとき,金属仕事関数に基づいて異なる。接触抵抗は,MS接触に比べてMIS接触で約10倍大きく減少した。300Kで≒115cm2V-1s-1までの電子移動度が単層h-BNの挿入で達成され,これはMS接触より約10倍高かった。移動度と接触抵抗増強は,h-BNがCrとWS_2の間に導入されるとき,Schottky障壁減少に起因する。トンネリング障壁パラメータを抽出することにより,h-BN厚さに対するトンネリング機構の依存性を調べた。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  移動度 ,  界面 ,  キャリア移動度 ,  仕事関数 ,  接触抵抗 ,  トンネル効果 ,  半導体 ,  クロム ,  *FET【トランジスタ】 ,  二次元 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  *六方晶窒化ホウ素 ,  二硫化タングステン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D遷移金属ジカルコゲナイド ,  接触抵抗 ,  モノおよび二層h-BN ,  トンネル障壁 ,  Schottky障壁

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二層 ,  h-BN ,  トンネル ,  電界効果トランジスタ ,  性能向上