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J-GLOBAL ID：202202230639634501   整理番号：22A0707149

熱モードレジストを用いた選択的エッチングによるナノスケールパターン形成Cr膜:X線ビームスプリッタに対する意味【JST・京大機械翻訳】

Nanoscale-Patterned Cr Films by Selective Etching Using a Heat-Mode Resist: Implications for X-ray Beam Splitter

著者 (12件)： Chen Guodong (Laboratory of Micro-Nano Optoelectronic Materials and Devices, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Chen Guodong (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Liu Xing (Laboratory of Micro-Nano Optoelectronic Materials and Devices, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Liu Xing (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wei Tao (Suzhou Key Laboratory for Nanophotonic and Nanoelectronic Materials and Its Devices, School of Materials Science and Engineering, Suzhou University of Science and Technology, Jiangsu, China) ,  Zhang Kui (Laboratory of Micro-Nano Optoelectronic Materials and Devices, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhang Kui (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wang Yang (Laboratory of Micro-Nano Optoelectronic Materials and Devices, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wang Yang (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhu Zhendong (National Institute of Metrology, China) ,  Wei Jingsong (Laboratory of Micro-Nano Optoelectronic Materials and Devices, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wei Jingsong (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, China)
資料名： ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)
巻： 5  号： 1  ページ： 1047-1055  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5033A  ISSN： 2574-0970  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールパターン化クロム(Cr)金属構造は多様な半導体加工分野で広く用いられている。これらの構造は,通常,直接エッチング法によって製造される。従来のリソグラフィー技術の欠点(電子ビーム,イオンビーム,走査プローブリソグラフィーなど)により,ナノスケール構造作製を達成する高コストで複雑な仕事である。本論文では,レーザ熱モードリソグラフィーを通して,カルコゲン化物AgInSbTe(AIST)膜をドライエッチングレジストとして選択し,Cr膜上に一連の任意のマイクロ/ナノ構造を作製した。Cl_2/O_2系ガスの下で,AISTレジストからCrマスクへのエッチング機構を,エネルギー分散X線分光計(EDS),X線光電子分光法(XPS),およびRaman分光法を通して解明した。最小ピッチ300nmの格子パターンをCrマスク上で達成し,X線ビームスプリッタとしてダイヤモンド基板上に首尾よく転写した。本研究は,ナノスケール構造作製のための効果的な方法を提供し,Clベースのプラズマエッチング下でのAISTレジスト膜の抗エッチング機構を明らかにする。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオンビーム ,  *エッチング ,  電子ビーム ,  塩素 ,  *クロム ,  *ビームスプリッタ ,  *レジスト ,  リソグラフィー ,  Raman分光法 ,  プラズマエッチング ,  ドライエッチング ,  *パターン形成 ,  ナノ構造 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ナノスケールCr構造 ,  レーザ熱モードリソグラフィー ,  AgInSbTeレジスト ,  パターン転送 ,  X線ビームスプリッタ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： レジスト ,  エッチング ,  ナノスケール ,  パターン形成 ,  Cr ,  X線ビーム ,  スプリッタ ,  意味